公司重點(diǎn)推出業(yè)界首款245.76 TB固態(tài)硬盤及其他創(chuàng)新產(chǎn)品，重新定義AI驅(qū)動(dòng)型基礎(chǔ)設(shè)施的存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)
全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商Kioxia group將再次亮相FMS：存儲(chǔ)與內(nèi)存的未來(lái)大會(huì)，聚焦其閃存和固態(tài)硬盤創(chuàng)新如何推動(dòng)為人工智能(AI)打造可擴(kuò)展的高效基礎(chǔ)設(shè)施。Kioxia將以實(shí)際應(yīng)用和性能提升為側(cè)重點(diǎn)，展示其最新解決方案如何滿足數(shù)據(jù)中心和企業(yè)環(huán)境中AI不斷演變的需求。
Kioxia將重點(diǎn)展示其最新產(chǎn)品，包括高容量的Kioxia LC9系列——這是業(yè)界首款1245.76太字節(jié)(TB)2 NVMe™固態(tài)硬盤。其他亮點(diǎn)包括KIOXIA CM9系列和KIOXIA CD9P系列固態(tài)硬盤，這些產(chǎn)品采用了該公司的第八代BiCS FLASHTM 3D閃存技術(shù)，在性能、能效和多功能性方面表現(xiàn)卓越。Kioxia還將展示1太比特(Tb)3 3比特/單元(TLC)產(chǎn)品，這些產(chǎn)品搭載了第九代和第十代BiCS FLASHTM 3D閃存技術(shù)。第九代和第十代BiCS FLASHTM 3D閃存融合了Toggle DD6.0接口標(biāo)準(zhǔn)，采用SCA（獨(dú)立命令地址）協(xié)議和創(chuàng)新的接口命令地址輸入方式，以及PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術(shù)，從而提升數(shù)據(jù)輸入輸出速度并降低功耗。
在FMS 2025上，Kioxia將舉辦主題演講和技術(shù)會(huì)議，內(nèi)容涵蓋以下主題：
FMS 2025主題演講：
“借助閃存技術(shù)和存儲(chǔ)解決方案優(yōu)化AI基礎(chǔ)設(shè)施投資”
太平洋夏令時(shí)間8月5日（周二）上午11:00
地點(diǎn)：Mission City宴會(huì)廳，圣克拉拉會(huì)議中心一樓
演講者：Kioxia Corporation存儲(chǔ)技術(shù)營(yíng)銷管理部總經(jīng)理Katsuki Matsudera、KIOXIA America, Inc.固態(tài)硬盤事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Neville Ichhaporia
高管級(jí)AI頂級(jí)圓桌論壇：
“AI推理的內(nèi)存與存儲(chǔ)擴(kuò)展”
太平洋夏令時(shí)間8月7日（周四）上午11:00
地點(diǎn)：Mission City宴會(huì)廳，圣克拉拉會(huì)議中心一樓
演講者：KIOXIA America Inc.固態(tài)硬盤事業(yè)部高級(jí)研究員兼首席架構(gòu)師Rory Bolt
KIOXIA展位演示
產(chǎn)品和技術(shù)演示將在展廳內(nèi)極具標(biāo)志性的KIOXIA雙層307號(hào)展位進(jìn)行，該展位設(shè)有10個(gè)獨(dú)立展示區(qū)，演示內(nèi)容包括：
擴(kuò)展用例——高容量封裝/低延遲閃存：采用第八代BiCS FLASHTM QLC 3D閃存/XL-FLASH的32芯片堆疊小尺寸BGA封裝，配備CXL™接口
KIOXIA第九代BiCS FLASHTM 3D閃存：1 Tb3晶圓及搭載512Gb芯片的小尺寸BGA封裝
KIOXIA第十代BiCS FLASHTM 3D閃存：1 Tb3晶圓及模型展示
KIOXIA UFS——消費(fèi)級(jí)與汽車級(jí)：面向不斷發(fā)展市場(chǎng)的高性能解決方案
Dell PowerEdge™ 7715服務(wù)器中的245.76 TB2高容量固態(tài)硬盤：搭載KIOXIA LC9系列企業(yè)級(jí)NVMe固態(tài)硬盤
性能與功耗演示：搭載KIOXIA CD9P系列數(shù)據(jù)中心級(jí)NVMe固態(tài)硬盤
ML Perf存儲(chǔ)訓(xùn)練：搭載KIOXIA CM9系列企業(yè)級(jí)NVMe固態(tài)硬盤
GPU直連固態(tài)硬盤仿真：測(cè)試1.43億IOPS的GPU直連存儲(chǔ)設(shè)備
KIOXIA AiSAQ™軟件：實(shí)現(xiàn)容量與性能的靈活平衡
RAID卸載與數(shù)據(jù)清理：搭載KIOXIA CM7系列企業(yè)級(jí)NVMe固態(tài)硬盤
相關(guān)鏈接：
FMS 2025官網(wǎng)
注：
1: 截至2025年8月5日。基于Kioxia Corporation的調(diào)查結(jié)果。
2: 固態(tài)硬盤容量定義：Kioxia Corporation將千字節(jié)(KB)定義為1000字節(jié)，兆字節(jié)(MB)定義為1,000,000字節(jié)，千兆字節(jié)(GB)定義為1,000,000,000字節(jié)，太字節(jié)(TB)定義為1,000,000,000,000字節(jié)，而千二進(jìn)制字節(jié)(KiB)為1024字節(jié)。然而，計(jì)算機(jī)操作系統(tǒng)使用2的冪次方來(lái)報(bào)告存儲(chǔ)容量，即1GB = 2^30字節(jié) = 1,073,741,824字節(jié)，1TB = 2^40字節(jié) = 1,099,511,627,776字節(jié)，因此顯示的存儲(chǔ)容量較少。可用存儲(chǔ)容量（包括各種媒體文件的示例）將根據(jù)文件大小、格式、設(shè)置、軟件和操作系統(tǒng)，以及/或者預(yù)裝的軟件應(yīng)用程序或媒體內(nèi)容而異。實(shí)際格式化容量可能會(huì)有所不同。
3: 閃存容量計(jì)算方式為1太比特(1 Tb) = 1,099,511,627,776 (2^40)比特，1太字節(jié)(1 TB) = 1,099,511,627,776 (2^40)字節(jié)。
通用閃存存儲(chǔ)(UFS)是一類符合JEDEC UFS標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品。
NVMe是NVM Express, Inc.在美國(guó)和其他國(guó)家的注冊(cè)或未注冊(cè)商標(biāo)。
CXL是Compute Express Link Consortium, Inc.的商標(biāo)。
Dell、PowerEdge和其他商標(biāo)均為Dell Inc.或其子公司的商標(biāo)。
其他公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是第三方公司的商標(biāo)。
關(guān)于Kioxia
Kioxia是全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，致力于閃存和固態(tài)硬盤(SSD)的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷售。其前身Toshiba Memory于2017年4月從1987年發(fā)明NAND閃存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通過(guò)提供產(chǎn)品、服務(wù)和系統(tǒng)來(lái)為客戶創(chuàng)造選擇，并為社會(huì)創(chuàng)造基于存儲(chǔ)技術(shù)的價(jià)值，從而提升世界的“記憶”。Kioxia創(chuàng)新的3D閃存技術(shù)BiCS FLASH™正在塑造存儲(chǔ)技術(shù)在高密度應(yīng)用領(lǐng)域（包括高級(jí)智能手機(jī)、PC、汽車系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心和生成式AI系統(tǒng)）的未來(lái)。
*本文檔中的信息（包括產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系信息）在公告發(fā)布之日是正確的，但如有更改，恕不另行通知。
